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    Introduction, Caractéristiques Et Applications Des Diodes Schottky En Carbure De Silicium

    2/26/2024 9:20:00 AM

    Résumé : Comprend une commutation indépendante de la température et d'excellentes performances thermiques.

    onsemi NDSH30120C-F155

    Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) onsemi NDSH30120C-F155 offrent des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. Le NDSH30120C-F155 ne présente aucun courant de récupération inverse, des caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques. Les avantages du système incluent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance élevée, de faibles EMI, une petite taille de système et un faible coût. Cette diode EliteSiC offre un coefficient de température positif et est facile à mettre en parallèle. Les applications incluent les circuits à usage général, SMPS, onduleur solaire, UPS et commutation de puissance.


    Caractéristique

    • +175°C température de jonction maximale

    • Impulsion unique évaluée à une avalanche de 196 mJ

    • Capacité de courant de surtension élevée

    • coefficient de température positif

    • Facile à paralléliser

    • Pas de récupération inverse/avant

    • - 247 - 2 - mallette ld

    • Ignifuge sans plomb, sans halogène/sans brome, conforme aux normes RoHS


    Application

    • Universel

    • Alimentation à découpage (SMPS), onduleur solaire, alimentation sans interruption (UPS)

    • Circuit de l'interrupteur d'alimentation


    Spécification

    • Tension inverse répétitive maximale de 1 200 V

    • Plage de courant direct redressé continu maximum de 30 A à 38 A

    • Courant de surtension avant maximum

      • Plage de crête non répétitive de 994 A à 1 078 A

      • 161, un non répétitif

      • 57 une répétition

    • Consommation d'énergie maximale

      • 333W à +25°C

      • 56W à +150°C

    • Plage de tension directe typique de 1,41 V à 1,97 V

    • Courant inverse maximum 200µA

    • Charge capacitive totale typique de 132 nC

    • Plage de capacité totale typique de 88pF (800V) à 1961pF (1V)

    • Résistance thermique maximale

      • 0,45°C/W jonction-boîtier

      • 40°C/W jonction-ambiante

    • Plage de température de fonctionnement de -55 ℃ ~ + 175 ℃

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