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Résumé : Offre des performances de commutation supérieures, une fiabilité/efficacité élevée et une densité de puissance plus élevée.
Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) onsemi NDSH20120C-F155 offrent des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. Le NDSH20120C-F155 ne présente aucun courant de récupération inverse, des caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques. Les avantages du système incluent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance élevée, de faibles EMI, une petite taille de système et un faible coût. Cette diode EliteSiC offre un coefficient de température positif et est facile à mettre en parallèle.
+175°C température de jonction maximale
Impulsion unique évaluée à une avalanche de 166 mJ
Capacité de courant de surtension élevée
coefficient de température positif
Facile à paralléliser
Pas de récupération inverse/avant
- 247 - 2 - mallette ld
Ignifuge sans plomb, sans halogène/sans brome, conforme aux normes RoHS
Universel
Alimentation à découpage (SMPS), onduleur solaire, alimentation sans interruption (UPS)
Circuit de l'interrupteur d'alimentation
Tension inverse répétitive maximale de 1 200 V
Plage de courant direct redressé continu maximum de 20 A à 26 A
Courant de surtension avant maximum
Plage de crête non répétitive de 854A à 896A
119 ans, un non-récidiviste
40 une répétition
Consommation d'énergie maximale
214W +25°C
35W à +150°C
Plage de tension directe typique de 1,38 V à 1,87 V
Courant inverse maximum 200µA
Charge capacitive totale typique de 100 nC
Plage de capacité totale typique de 58pF (800V) à 1480pF (1V)
Résistance thermique maximale
0,7°C/W jonction-boîtier
40°C/W jonction-ambiante
Plage de température de fonctionnement de -55 ℃ ~ + 175 ℃