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    Introduction, Caractéristiques Et Applications Du MOSFET PowerTrench Canal N Onsemi NVBLS1D5N10MC

    2/26/2024 9:40:00 AM

    Résumé : Présente des performances thermiques élevées et un faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction.

    Onsemi NVBLS1D5N10MC MOSFET PowerTrench canal N

    Les MOSFET PowerTrench à canal N onsemi NVBLS1D5N10MC offrent des performances thermiques élevées et un faible R(DS(on)) pour minimiser les pertes de conduction. Le NVBLS1D5N10MC est certifié AEC-Q101 et dispose de la fonctionnalité PPAP, ce qui le rend idéal pour les applications automobiles.

    Le MOSFET onsemi NVBLS1D5N10MC est disponible dans un boîtier TOLL avec une plage de températures de jonction et de stockage de fonctionnement de -55°C à +175°C.


    Caractéristique

    • Faible R(DS(on)), minimisant les pertes de conduction

    • Le faible Q(G) et la capacité minimisent les pertes du pilote

    • Certification AEC-Q101 réussie et capacités PPAP

    • Réduire le bruit de commutation/EMI

    • Sans plomb, conforme RoHS


    Application

    • changer de source d'alimentation

    • Protection contre l'inversion de batterie

    • Interrupteurs d'alimentation (pilote côté haut, pilote côté bas, pont en H, etc.)


    Spécification

    • Courant de vidange continu maximum 300A

    • 1,5 milliohm maximum 10 V R (DS (ON))

    • Tension drain-source de 100 V

    • Tension grille-source ± 20 V

    • Courant de drain pulsé de 900 A

    • Plage de températures de jonction et de stockage de -55°C à +175°C


    Applications Typiques


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