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    Introduction, Caractéristiques Et Applications Du MOSFET De Puissance ROHM Semiconductor RF6L025BG

    2/29/2024 9:30:00 AM

    Résumé : Caractéristiques : VDSS 60 V, ID ± 2,5 A, faible résistance à l'état passant de 91 milliohms (RDS(on)), consommation électrique de 1 W (PD).

    MOSFET de puissance RF6L025BG de semi-conducteur ROHM

    Le MOSFET de puissance RF6L025BG de ROHM Semiconductor présente une tension drain-source de 60 V (V(DSS)) et un courant de drain continu de ±2,5 A (I(D)). Ce MOSFET à canal N offre une faible résistance à l'état passant (R(DS(on))) de 91 milliohms et une dissipation de puissance de 1 W (P(D)). Le MOSFET RF6L025BG fonctionne sur une plage de températures de jonction et de stockage de -55 °C à 150 °C, et est disponible dans un petit boîtier à montage en surface sans halogène (TUMT6 ou SOT-363T). Cet appareil conforme ROHS comprend un placage sans plomb. Le MOSFET de puissance RF6L025BG convient aux applications de commutation, de commande de moteur et de convertisseur DC/DC.


    Caractéristique

    • Faible résistance à l'état passant

    • Placage sans plomb, conforme aux normes RoHS

    • Petit boîtier de montage en surface (TUMT6/SOT-363T)

    • Sans halogène


    Spécification

    • Tension drain-source 60 V (V(DSS))

    • Tension grille-source ± 20 V (V (GSS))

    • Plage de températures de jonction et de stockage de -55°C à 150°C

    • 91 ohms R (DS (supérieur) (max)

    • Courant de drain continu ± 2,5 A (I(D))

    • Consommation électrique de 1 W (P(D))


    Application

    • Conducteur de moteur

    • changer

    • Convertisseur DC/DC


    Des Choses


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