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    Introduction, Caractéristiques Et Applications De L'atténuateur Numérique Au Silicium ADRF5717 D'Analog Devices

    2/27/2024 9:40:00 AM

    Résumé : atténuateur numérique 2 bits, plage d'atténuation 48 dB, pas de 16 dB.

    Atténuateur numérique au silicium ADRF5717 d'Analog Devices

    L'atténuateur numérique au silicium ADRF5717 d'Analog Devices est un atténuateur numérique 2 bits avec une plage d'atténuation de 48 dB par pas de 16 dB, permettant un fonctionnement sans problème. Ces atténuateurs fonctionnent sur une plage de fréquences ultra-large bande de 1 MHz à 30 GHz, avec une perte d'insertion supérieure à 2,8 dB et une précision d'atténuation de 3,3 dB. L'atténuateur numérique au silicium ADRF5717 fournit des ports ATTIN et ATTOUT, offrant des capacités de gestion de puissance d'entrée RF de 30 dBm en moyenne en régime permanent et de 33 dBm en crête en régime permanent. Ces atténuateurs disposent de deux tensions d'alimentation de 3,3 V et -3,3 V et prennent en charge un fonctionnement à alimentation unique. L'atténuateur au silicium ADRF5717 est compatible avec la logique à semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) et la logique transistor-transistor basse tension (LVTTL). Les applications typiques incluent les scanners industriels, les tests et l'instrumentation, l'infrastructure cellulaire à ondes millimétriques 5G, les contre-mesures électroniques (ECM), les radios micro-ondes et les terminaux à très petite ouverture (VSAT).


    Caractéristique

    • Gamme de fréquences ultra-large bande de 1 MHz à 30 GHz

    • Pas typique de 16 dB à une plage d'atténuation de 48 dB

    • Faible perte d'insertion :

      • 1,5 dB à 8 GHz

      • 2 dB à 18 GHz

      • 2,8 dB à 30 GHz

    • Précision d'atténuation :

      • ± (état d'atténuation de 0,20 + 2,3 %) dB typique jusqu'à 8 GHz

      • ± (état d'atténuation de 0,30 + 3,2 %) dB typique jusqu'à 18 GHz

      • ± (état d'atténuation de 0,30 + 6,5 %) dB typique jusqu'à 30 GHz

    • Erreur d'étape typique :

      • ±0,8 dB typique jusqu'à 8 GHz

      • ±1,3 dB typique jusqu'à 18 GHz

      • ±3,3 dB typique jusqu'à 30 GHz

    • Linéarité d'entrée élevée :

      • Statut de perte d'insertion typique de 30 dBm P0,1 dB

      • 30 dBm typique P0,1 dB autres états d'atténuation

      • État de perte d'insertion IP3 typique de 51 dBm

      • 49 dBm typique IP3 autres états d'atténuation

    • Haute tenue en puissance RF :

      • Moyenne typique en régime permanent de 30 dBm

      • Valeur de crête typique en régime permanent de 33 dBm

      • Entrez ATTIN et ATTOUT :

    • Temps de stabilisation de l'amplitude RF typique de 6,6 µs (RF final 0,1 dB (OUT))

    • Prend en charge le fonctionnement d'une seule alimentation

    • La distribution de phase relative est serrée

    • Pas de signaux parasites basse fréquence

    • Contrôle en mode parallèle, conforme aux normes ROHS

    • Compatible semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS)/logique transistor-transistor basse tension (LVTTL)

    • Réseau de grille de terre à 20 bornes, 3 mm × 3 mm [LGA]


    Application

    • Scanner industriel

    • Tests et instrumentation

    • Infrastructure cellulaire à ondes millimétriques 5G

    • Radios et radars militaires

    • Contre-mesures électroniques (ECM)

    • radio à micro-ondes

    • terminal à très petite ouverture


    Schéma De Circuit D'application Simplifié



    Schéma De Configuration Des Broches


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